Los módulos de memoria DDR3 ofrecen las siguientes novedades frente a los módulos DDR2: la tensión estándar es de sólo 1.5 V (un 16% menos que los DDR2), por lo que disminuye el consumo de energía y la emisión de calor de los módulos. La memoria DDR3 dispone ahora de 8 bancos internos de memoria (DDR2: 4), lo que conlleva una mejora del rendimiento, especialmente en el enorme aumento de la capacidad de almacenamiento. La nueva topología Fly-by se encarga de mejorar la integridad de la señal logrando un funcionamiento estable incluso con frecuencias altas.

Capacidad total   1024 MB 
Formato DIMM 
Estándar   DDR3 - 1066 (PC3 - 8500) 
Timings   
Latencia CAS (CL)  7
Retardo RAS - CAS (tRCD)  7
Tiempo de precarga de RAS (tRP)  7
Tiempo activo de línea (tRAS)  20 
Conexión 240 pines 
Tensión 1,5 voltios